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周浪最新SOLMAT:热丝CVD制备本征氢化非晶硅薄膜的结构优化与生长

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周浪最新SOLMAT:热丝CVD制备本征氢化非晶硅薄膜的结构优化与生长

  • 分类:新闻资讯
  • 作者:Sahara
  • 来源:https://mp.weixin.qq.com/s/7HeAw-75BuhsD5GuZU-BLQ
  • 发布时间:2024-04-07 10:08
  • 访问量:

论文简介
虽然硅异质结(SHJ)太阳电池是目前转换效率最高的晶硅太阳电池,但其较高的生产线成本一直是制约其工业化发展的因素。采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术代替主流的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术用于沉积非晶硅薄膜,可有效降低设备成本和加工成本,具有良好的应用前景。近年来,通过PECVD生长的本征氢化非晶硅(i-a-Si:H)薄膜钝化质量得到了很大的提高,而HWCVD技术在该领域一直被忽视。这明显限制了HWCVD技术在SHJ电池生产中的发展和应用。在这项工作中,我们利用了不同热丝温度下沉积的薄膜性能和微观结构的差异,成功地开发了由HWCVD生长的高钝化质量的i-a-Si:H薄膜的结构,包括一个缓冲层和一个双层体层。通过引入在1650℃热丝温度下生长的缓冲层和纯硅烷,有效少数载流子寿命从2.3 ms提高到7.5 ms,电池效率提高了0.4%abs。通过在1800℃和1900℃的热丝温度下依次沉积体层,钝化质量和导电性都得到了改善。有效少数载流子寿命为8 ms,电池效率进一步提高0.15%abs。最后,在自制的基于HWCVD的SHJ电池中试中试线上,获得了24.35%的SHJ电池效率。
论文链接

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2024.112835

以上数据来源于NREL和马丁格林太阳能电池效率表(第63版)
 
链接1:https://www.nrel.gov/pv/interactive-cell-efficiency.html
链接2:https://doi.org/10.1002/pip.3750
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